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Category/Description
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Data
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Category: MOSpipeDescription: FDMS0306AS: N Channel PowerTrench? SyncFET? 30V，49A，2.4mΩ63315+$5.985925+$5.542550+$5.2321100+$5.0991500+$5.01042500+$4.89965000+$4.855210000+$4.7887 -
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Category: MOSpipeDescription: NChannel 100V 45A57595+$22.703950+$21.7336200+$21.1903500+$21.05441000+$20.91862500+$20.76345000+$20.66637500+$20.5693 -
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Category: MOSpipeDescription: ON Semiconductor PowerTrench Series Si N-channel MOSFET FDMC86340, 48 A, Vds=80 V, 8-pin Power 33 package996810+$6.9216100+$6.5755500+$6.34481000+$6.33332000+$6.28715000+$6.22947500+$6.183310000+$6.1602 -
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Category: MOSpipeDescription: ON Semiconductor PowerTrench Series Si N-channel MOSFET FDMS8350L, 200 A, Vds=40 V, 8-pin Power 56 package78645+$3.811125+$3.528850+$3.3311100+$3.2465500+$3.19002500+$3.11945000+$3.091210000+$3.0488 -
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Category: MOSpipeDescription: ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMC8032L, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 33封装6837 -
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Category: MOSpipeDescription: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS037N08B, 100 A, Vds=75 V, 8引脚 Power 56封装4363 -
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Category: MOSpipeDescription: PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。5266 -
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Category: MOSpipeDescription: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7678, 17.5 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装8722 -
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Category: MOSpipeDescription: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMC86259P, 3.2 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装7010 -
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Category: MOSpipeDescription: ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86160, 9 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装5233
